聯系我們 Contact Us
地 址：深圳市羅湖區和平路1085號910
網 址：www.puyueinfo.com
電 話：0755-2556 9680
傳 真：0755-2556 6650
手 機：15697542027（同V）
郵 箱：James@longstartech.com.cn
新聞中心
UV LED效能提升，沙特最新研究展現黑科技
更新日期：2018-8-28 來源：www.puyueinfo.com
近期，沙特阿卜杜拉國王科技大學(KAUST)研究團隊研發出納米級氮化鋁鎵（AlGaN）發光裝置。
研究人員以漸變折射率分布限制結構層（GRINSCH）裝置，制作出納米級GRINSCH二極體，研究人員期望未來能應用在納米高效能UV LED裝置，像是激光、光感測器、調幅器以及積體光學相關裝置上。
現有AlGaN發光裝置，被視為是取代現有UV氣體激光和含有有毒物質的UV燈的UV燈源。不過由于裝置中的UV激光二極體，電壓至少要25伏特才能操作，加上電洞注入層效率不佳，導致串聯電阻高，導致性能受限。其中原因和AlGaN鋁層的P型半導體涂層以及缺少有效的散熱管道等有關。
納米級AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜層相比，由于表面積對體積比高，形成有效的應力松弛，能直接在包括金屬等基質上延展。金屬和以矽或藍寶石包復的金屬基質，能在高電流操作過程，提供更好的散熱管道。
另外，納米級P型半導體因為加入了鎂，活化能需求低，因此電阻也相對較小。經過研究團隊實驗證實，GRINSCH二極體在電子和光學表現上出色，所需電壓和串聯電阻也比原先的二極體要低。
研究人員以漸變折射率分布限制結構層（GRINSCH）裝置，制作出納米級GRINSCH二極體，研究人員期望未來能應用在納米高效能UV LED裝置，像是激光、光感測器、調幅器以及積體光學相關裝置上。
現有AlGaN發光裝置，被視為是取代現有UV氣體激光和含有有毒物質的UV燈的UV燈源。不過由于裝置中的UV激光二極體，電壓至少要25伏特才能操作，加上電洞注入層效率不佳，導致串聯電阻高，導致性能受限。其中原因和AlGaN鋁層的P型半導體涂層以及缺少有效的散熱管道等有關。
納米級AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜層相比，由于表面積對體積比高，形成有效的應力松弛，能直接在包括金屬等基質上延展。金屬和以矽或藍寶石包復的金屬基質，能在高電流操作過程，提供更好的散熱管道。
另外，納米級P型半導體因為加入了鎂，活化能需求低，因此電阻也相對較小。經過研究團隊實驗證實，GRINSCH二極體在電子和光學表現上出色，所需電壓和串聯電阻也比原先的二極體要低。
上一篇：uv印刷led燈紫外線波長 下一篇：UV-B能促進草莓生長發育并抑制病蟲害發生？
