地 址：深圳市羅湖區和平路1085號910
網 址：www.puyueinfo.com
電 話：0755-2556 9680
傳 真：0755-2556 6650
手 機：15697542027（同V）
郵 箱：James@longstartech.com.cn
經過十多年研究和發展，280nm以下的深紫外UVLED外量子效率已超過5%，對應發光功率大于5mW，壽命達10000h。功率的提升推動應用領域的發展，深紫外線LED的用途包括：光學傳感器和儀器(230~400 nm）、 紫外線身份驗證、條碼(230~280 nm）、飲用水殺菌、便攜式殺菌（240~280 nm）。但深紫外任存在些問題。
1、功率低?
深紫外LED外量子效率已超過5%，但與藍光的60%相比仍然很低，其原因如下。
（1）模板材料質量缺陷，在藍寶石上外延的A1N材料的位錯密度高達1X109cm2，而圖形襯底生長的GaN材料的位錯密度約為1 X107cm2，故采用圖形襯底提高模板材料質量。
（2）多層結構中深紫外光的全內反射損失，以及P型電極的吸收導致光提取效率差，目前光萃取效率只有6%。須取得對p型歐姆接觸的突破，減少對高吸光p-GaN的依賴；優化多層異質結之問的折射率差；運用圖形襯底;粗化出光面。
（3）高鋁組分的A1GaN會出現明顯的量了極化效應，使量子阱和壘中出現極化電場，導致工作電壓升高和量子效率下降。解決辦法為使用非極性面（如a面）藍寶石作為襯底，或采用組分漸變方法進行抵消。
LG所生產的UVC LED 功率己經達到了100ｍＷ。壽命 也能達到10000ｈ。
2、散熱性差
外量子效率低致使大部分電能轉化為熱能，因此散熱問題很關鍵。從芯片和封裝方面看，薄膜倒裝深紫外LED和倒裝焊深紫外LED可以提高散熱，可制作高功率深紫外LED。
3、壽命低
與藍光的100000h比，深紫外LED的壽命只有10000h，其低壽命主要歸因于材料缺陷和散熱不良，以及封裝材料受紫外線照射易老化。
