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QL83F6S-A/B/C
產(chǎn)品名稱：QL83F6S-A/B/C 830nm 10mW QSI激光二極管
產(chǎn)品型號：QL83F6S-A/B/C
產(chǎn)品波長：830nm
工作電流：30mA
產(chǎn)品功率：10mW
產(chǎn)品封裝：TO-18 (φ5.6mm)
- 醫(yī)療應(yīng)用，紅外傳感器，3D動作識別
規(guī)格書下載： Know
¨OVERVIEW
QL83F6S-A/B/C is a MOCVD grown 830nm band GaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 10mW for Medical applications.
¨APPLICATION
- Medical applications, IR Sensor
¨FEATURES
- Visible Light Output : lp = 830 nm
- Optical Power Output : 10mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmf)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
概觀
QL83F6S-A/ B/ C是MOCVD生長830nm的波段砷化鎵激光量子阱結(jié)構(gòu)二極管。
這是一個(gè)有吸引力的光源，具有10毫瓦的醫(yī)療應(yīng)用中，典型的光輸出功率。
應(yīng)用
- 醫(yī)療應(yīng)用，紅外傳感器
特征
- 可見光輸出：LP=830納米
- 光輸出功率：10mW的CW
- 封裝類型：TO-18（5.6mmf）
- 內(nèi)置光電二極管監(jiān)測激光二極管
