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QL85O6S-A/B/C/L
產品名稱：QL85O6S-A/B/C/L 850nm 100mW 半導體激光二極管
產品型號：QL85O6S-A/B/C/L
產品波長：850nm
工作電流：125mA
產品功率：100mW
產品封裝：TO-18 (φ5.6mm)
- 傳感器 - 工業(yè)光模塊 - 3D動作識別
規(guī)格書下載： Know
¨OVERVIEW
QL85O6S-A/B/C/L is a MOCVD grown 850nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 100mW for industrial optical module
and sensor applications.
¨APPLICATION
- Sensor
- Industrial Optical Module
¨FEATURES
- Visible Light Output : lp = 850 nm
- Optical Power Output : 100mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmf)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
概觀
QL85O6S-A/ B / C/ L是MOCVD生長的850nm波段的AlGaAs激光量子阱結構二極管。
這是一個有吸引力的光源，具有100mW的的工業(yè)光模塊的典型光輸出功率
和傳感器應用。
應用
- 傳感器
- 工業(yè)光模塊
特征
- 可見光輸出：LP=850納米
- 光輸出功率：100mW的CW
- 封裝類型：TO-18（5.6mmf）
- 內置光電二極管監(jiān)測激光二極管
